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Memoria de grafito de sólo 10 átomos de grosor

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Esta tecnología podría proporcionar mucha más capacidad que la que ofrecen las actuales memorias flash y soportará temperaturas de 200 grados Celsius, así como radiaciones que, en el caso de las memorias de discos de estado sólido, se desintegrarían. El equipo, liderado por el profesor James Tour, también está formado por los investigadores Yubao Li y Alexander Sinitskii. En una entrevista, Tour afirmó que comenzaron las primeras pruebas hace un año y medio, pero no fue hasta hace poco cuando se presentó un informe sobre los resultados. Las pruebas del laboratorio mostraron cómo eran capaces de hacer crecer “graphene” – un material derivado del carbón, que es técnicamente 10 capas menor que el grafito-, por encima del silicio y que es utilizado para almacenar bits de datos. “A pesar de que hemos avanzado desde la fase de vapor, este material es como el grafito de los lápices, cuya punta se desliza por el papel para escribir. Si pusiéramos encima un poco de papel celo y tiráramos de él, saldrían partículas de grafito del tamaño de una lámina de graphene, que tiene un grosor de menos de un nanómetro”, explica Tour. Esta nueva memoria de estado sólido es una de las múltiples tecnologías de próxima generación que, algún día, podrían reemplazar a las memorias flash NAND de 20 nanómetros. Actualmente, las memorias flash NAND pueden ser de tan sólo 45 nanómetros, pero las previsiones muestran que esta tecnología alcanzará su límite en los 20 nanómetros alrededor de 2012. Utilizando graphene, los bits podrían hacerse de tan sólo 10 nanómetros. Al contrario que lo que ocurre con las memorias flash NAND, que son controladas por tres terminales o cables, las memorias de graphene requieren dos terminales, haciéndolas así más viables para arrays tridimesionales, por ejemplo. Así se multiplicaría la capacidad de los chips en cada capa. Pero tal y como sucede con la memoria flash, los chips fabricados con graphene prácticamente no consumirán energía mientras los datos permanezcan intactos. Tour también ha declarado que este material genera muy poco calor, lo que es otra ventaja significativa. Graphene también se distingue de futuros medios de almacenamiento por su ratio “on-off”, esto es, por la cantidad de electricidad que un circuito mantiene cuando está encendido en comparación a cuando está apagado. “La diferencia es enorme, de un millón a uno. Las memorias de cambio de fase, la otra tecnología que están considerando en la industria, presentan un ratio de 10 a uno. Lo que significa que el estado de apagado mantiene una décima parte de la cantidad de electricidad que se utiliza en el modo encendido”. Eso sí, aún queda un punto que Tour deberá demostrar, aunque está seguro de poder hacerlo y es depositar múltiples bits en una única capa de graphene. Actualmente, las células NAND flash multinivel mostradas por Samsung, almacenan hasta cuatro bits de datos por celda. Actualmente se comercializan dispositivos flash MLC que pueden almacenar hasta 3 bits por celda. Por ahora, este material, el graphene, ha sido testeado en entornos de menos 75 grados Celsius hasta 200 grados Celsius. “En lugares donde no sería posible tener memoria flash, esto funcionaría muy bien”. En lo que respecta a velocidad, Tour afirma que sólo han probado la memoria de grapheme en tiempos de 100 nanosegundos, “y estamos seguros de que podrá ser aún más rápida”.

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